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车规级小信号MOSFET
伯恩半导体 >漏极-源极电压 VDS = 20V 漏极电流 ID = 3A 导通电阻 RDS(ON) @VGS=4.5V，典型值 = 37mΩ 导通电阻 RDS(ON) @VGS=2.5V，典型值 = 51mΩ
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  • 采用先进的沟槽工艺技术
  • 高密度元胞设计，实现超低导通电阻
  • SOT-23 表面贴装封装
  • 通过 AEC-Q101 认证

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